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  • 世界第一!台积电正式宣布2nm工艺:台积电晶体管工艺于2024年开始生产
  • 日期:2019-09-10   点击:   作者:365bet亚洲备用网址   来源:365bet注册
来源:技术快速作者:文字Q.
近年来,摩尔定律已基本失败或变得越来越慢,但几个巨头已经在半导体工艺中丧生。
英特尔终于进入了10纳米工艺时代,并将在次年升至7纳米。台积电和三星已经完成了7纳米工艺设计,并冲至5纳米和3纳米。
台积电正式宣布将正式开始研发2纳米工艺。工厂位于台湾新竹南方科技园区。计划于2024年投入生产,时间的步伐仍然非常快。
根据台积电提供的指标,2 nm工艺是一个重要节点,MetalTrack(金属单元高度)保持在5倍和3 nm,GatePitch(晶体管栅极步骤)减少到30。nm和MetalPitch减小到20 nm,减小23%或3 nm。
台积电没有透露2纳米工艺所需的技术和材料。观察晶体管结构示意图和当前不重要的变化,继续将硅半导体工艺缩小到这种程度是一个奇迹。然后你可以看到它是1纳米。
当然,在此之前,台积电将继续经历多个工艺节点,如7nm +,6nm,5nm,3nm等。
其中,7nm +首次引入EUV EUV光刻技术。这是批量生产。6nm是7nm的改进版本,将在明年第一季度进行测试。EUV光刻5nm全面介绍,风险测试生产于明年年底开始。在批量生产之前,Apple A14,AMD第5代瑞龙(Zen4将被采用)。3nm将在2021年进行原型制造,并将于2022年批量生产。
三星已经计划推出3纳米,并计划于2021年进行量产。